簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果：共2筆資料 檢索策略： "Yuan-Hao Chang".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="保留錯誤"


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    RDER: Using Read Disturbance to Enhance the Reliability of 3D-TLC NAND Flash Memory
    • 資訊工程系 /109/ 碩士
    • 研究生： 賴詩涵   指導教授： 謝仁偉
    • 干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加，氧化層變薄。 因此，存儲在電池中的電荷變得更容易丟失，這將導致Vth發生負向偏移。 同時，由於FN隧道…
    • 點閱：217  下載：0 
    • 全文公開日期 2025/11/19 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

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    基於TLC快閃記憶體之保留錯誤緩解的位元配對寫入方法
    • 電子工程系 /108/ 碩士
    • 研究生： 藍翊倫   指導教授： 吳晋賢
    • 由於快閃記憶體具有有限的P/E cycles，因此超過快閃記憶體單位限制的P/E cycles後會出現嚴重的可靠性問題，主要原因是快閃記憶體單元中的寫穿(wear-out)現象，受到該現象的影響下，…
    • 點閱：227  下載：6 
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